MOSFET Vishay Siliconix SQ2364EES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V
Serie = TrenchFET
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 600 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 0.46V
Tensión de umbral de puerta mínima = 1V
Disipación de Potencia Máxima = 3 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente = ±8 V
Número de Elementos por Chip = 1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima = -55 °CV