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MOSFET onsemi NTMFS08N003C, VDSS 80 V, ID 147 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1784505
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NTMFS08N003C
EAN/GTIN:
     5059045291503
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Este MOSFET MV de canal N se fabrica mediante un proceso PowerTrench avanzado de ON Semiconductor que incorpora la tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.Características Tecnología MOSFET de puerta apantallada RDS(on) máx. = 3,1 mΩ con VGS = 10 V, ID = 56 A RDS(on) máx. = 8,1 mΩ con VGS = 6 V, ID = 28 A Qrr un 50 % inferior que otros proveedores de MOSFET Reduce el ruido de conmutación/EMI Diseño con encapsulado robusto MSL1 Aplicaciones MOSFET dc-dc principal Rectificador síncrono en dc-dc y ac-dc Controladores para motor Inversores solares Interruptores de carga Productos finales Adaptadores de alimentación Fuentes de alimentación dc a dc Herramientas eléctricas Drones Baterías
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
147 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
80 V
Tipo de Encapsulado:
PQFN8
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
3,1 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
125 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±20 V
Longitud:
5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, 1784505, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NTMFS08N003C
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