N.º art.: 3318E-1807261
N.º fabricante: SI1021R-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 190 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SC-75 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 8 O Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 3V Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
190 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
SC-75
Serie:
TrenchFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
8 O
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
3V
Número de Elementos por Chip:
1
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