N.º art.: 3318E-1807273
N.º fabricante: SI2347DS-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,042 O Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 2.5V Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
TO-236
Serie:
TrenchFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,042 O
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.5V
Número de Elementos por Chip:
1
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