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| N.º art.: 3318E-1807738 N.º fabricante: SI2307CDS-T1-GE3 EAN/GTIN: 5059045718574 |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,138 O Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 3V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | P | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 3,5 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 30 V | Tipo de Encapsulado: | SOT-23 | Serie: | TrenchFET | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,138 O | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 3V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 1807738, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SI2307CDST1GE3 |
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