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MOSFET onsemi NTE4153NT1G, VDSS 20 V, ID 915 mA, SOT-523 (SC-89) de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1841063
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NTE4153NT1G
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Small Signal MOSFET 20V 915mA 230 mOhm Single N-Channel SC-89 with ESD ProtectionLow RDS(on) Improving System Efficiency Low Threshold Voltage, 1.5V Rated ESD Protected Gate Applications: Load/Power Switches Power Supply Converter Circuits Battery Management Portables like Cell Phones, PDAs, Digital Cameras, Pagers, etc.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
915 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
20 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-523 (SC-89)
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
950 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.45V
Disipación de Potencia Máxima:
300 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±6 V
Longitud:
1.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1841063, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NTE4153NT1G
Resumen de condiciones1
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