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| N.º art.:
3318E-1845019 N.º fabricante:
FDMA2002NZ EAN/GTIN:
5059045347507 |
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| This device is designed specifically as a single package solution for dual switching requirements in cellular handset and other ultra-portable applications. It features two independent N-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. The MicroFET 2x2 offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.2.9 A, 30 V RDS(ON) = 123 mΩ @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = 3.0 V RDS(ON) = 163 mΩ @ VGS = 2.5 V Low profile - 0.8 mm maximum - in the new package MicroFET 2x2 mm HBM ESD protection level=1.8kV (Note 3) Free from halogenated compounds and antimony oxides Applications This product is general usage and suitable for many different applications Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 2.9 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 30 V | Tipo de Encapsulado: | WDFN | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 6 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 268 mΩ | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 1.5V | Tensión de umbral de puerta mínima: | 0.4V | Disipación de Potencia Máxima: | 1.5 W | Tensión Máxima Puerta-Fuente: | ±12 V | Longitud: | 2mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +150 °C | Número de Elementos por Chip: | 2 |
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| Otros conceptos de búsqueda: 1845019, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FDMA2002NZ |
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