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MOSFET onsemi NVMJS1D3N04CTWG, VDSS 40 V, ID 235 A, LFPAK8 de 8 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1858157
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NVMJS1D3N04CTWG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 235 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V
Tipo de Encapsulado = LFPAK8
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1,3 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima = 2.5V
Disipación de Potencia Máxima = 128 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente = ±20 V
Ancho = 4.9mm
Altura = 1.2mm
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
235 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
40 V
Tipo de Encapsulado:
LFPAK8
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
1,3 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2.5V
Disipación de Potencia Máxima:
128 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±20 V
Longitud:
5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1858157, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NVMJS1D3N04CTWG
Resumen de condiciones1
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