N.º art.: 3318E-1867152
N.º fabricante: FDG6304P
EAN/GTIN: Sin datos
These dual P-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using a proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETS.-25 V, -0.41 A continuous, -1.5 A Peak. RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS= -4.5 V, RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V. Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3 V circuits (VGS(th) <1.5 V). Gate-Source Zener for ESD ruggedness (>6kV Human Body Model). Compact industry standard SC70-6 surface mount package. Applications This product is general usage and suitable for many different applications.
Más información:
Tipo de Encapsulado:
SC-70
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima:
300 mW
Conteo de Pines:
6
Número de Elementos por Chip:
2
Dimensiones:
2.2 x 1.35 x 1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Longitud:
2.2mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima:
-55 °C
Ancho:
1.35mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistor de potencia ,
Transistores de potencia ,
MOSFET ,
Transistor MOSFET ,
Transistores MOSFET ,
transistor de potencia ,
1867152 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Transistores Bipolares ,
onsemi ,
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