N.º art.: 3318E-1867162
N.º fabricante: J175-D26Z
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Encapsulado = TO-92 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Disipación de Potencia Máxima = 350 mW Configuración de transistor = Simple Conteo de Pines = 3 Número de Elementos por Chip = 1 Temperatura Máxima de Funcionamiento = +150 °Cmm
Más información:
Tipo de Encapsulado:
TO-92
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Disipación de Potencia Máxima:
350 mW
Configuración de transistor:
Simple
Conteo de Pines:
3
Número de Elementos por Chip:
1
Dimensiones:
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Altura:
5.33mm
Longitud:
5.2mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima:
-55 °C
Ancho:
4.19mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores de efecto de campo de unión ,
Transistor de potencia ,
Transistores de potencia ,
MOSFET ,
Transistor MOSFET ,
Transistores MOSFET ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor de potencia ,
1867162 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Transistores Bipolares ,
onsemi ,
J175D26Z
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