N.º art.: 3318E-1867170
N.º fabricante: MMBFJ202
EAN/GTIN: Sin datos
N-Channel General Purpose Amplifier This device is designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources. Sourced from Process 52.Applications This product is general usage and suitable for many different applications.
Más información:
Tipo de Encapsulado:
SOT-23
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima:
350 mW
Conteo de Pines:
3
Número de Elementos por Chip:
1
Dimensiones:
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Longitud:
2.92mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima:
-55 °C
Ancho:
1.3mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores de efecto de campo de unión ,
Transistor de potencia ,
Transistores de potencia ,
MOSFET ,
Transistor MOSFET ,
Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
1867170 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Transistores Bipolares ,
onsemi ,
MMBFJ202
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