N.º art.: 3318E-1867175
N.º fabricante: MMBTA06WT1G
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Transistor = NPN Corriente DC Máxima del Colector = 500 mA Tensión Máxima Colector-Emisor = 80 V dc Tipo de Encapsulado = SOT-323 (SC-70) Tipo de Montaje = Montaje superficial Disipación de Potencia Máxima = 460 mW Ganancia Mínima de Corriente DC = 100 Configuración de transistor = Simple Tensión Máxima Emisor-Base = 4 V dc Conteo de Pines = 3 Número de Elementos por Chip = 1 Dimensiones = 2.2 x 1.35 x 0.9mm
Más información:
Tipo de Transistor:
NPN
Corriente DC Máxima del Colector:
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor:
80 V dc
Tipo de Encapsulado:
SOT-323 (SC-70)
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima:
460 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC:
100
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Emisor-Base:
4 V dc
Conteo de Pines:
3
Número de Elementos por Chip:
1
Dimensiones:
2.2 x 1.35 x 0.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Estándar de automoción:
AEC-Q101
Otros conceptos de búsqueda: Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
1867175 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Transistores Bipolares ,
onsemi ,
MMBTA06WT1G
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