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Optoacoplador onsemi FOD de 1 canal, Vf= 1.8V, Viso= 5 kVrms, OUT. IGBT, MOSFET, mont. superficial, encapsulado SOIC, 6


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1867261
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FOD8342R2
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
FOD8342T - 8 mm Creepage and Clearance Distance, and 0.4 mm Insulation Distance to Achieve Reliable and High-Voltage Insulation 3.0 A Peak Output Current Driving Capability for Medium-Power IGBT/MOSFET – Use of P-Channel MOSFETs at Output Stage Enables Output Voltage Swing Close to Supply Rail 20 kV/μs Minimum Common Mode Rejection Wide Supply Voltage Range: 10 V to 30 V Fast Switching Speed Over Full Operating Temperature Range – 210 ns Maximum Propagation Delay – 65 ns Maximum Pulse Width DistortionUnder-Voltage Lockout (UVLO) with Hysteresis Extended Industrial Temperate Range: -40°C to 100°C Applications AC and Brushless DC Motor Drives Industrial Inverter Uninterruptible Power Supply Induction Heating Isolated IGBT/Power MOSFET Gate Drive
Más información:
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Dispositivo de Salida:
IGBT, MOSFET
Tensión Directa Máxima:
1.8V
Número de Canales:
1
Número de Pines:
6
Encapsulado:
SOIC
Tiempo de Subida Típico:
38ns
Corriente de Entrada Máxima:
10 mA
Tensión de Aislamiento:
5 kVrms
Salida Lógica:
Sí
Tiempo de Bajada Típico:
24ns
Serie:
FOD
Otros conceptos de búsqueda: Acoplador óptico, Optoacoplador, Acopladores ópticos, mosfet 10v, transistor igbt, 1867261, Displays y Optoelectrónica, Optoacopladores y Fotodetectores, Optoacopladores, onsemi, FOD8342R2
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