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| N.º art.:
3318E-1867368 N.º fabricante:
BDX53BG EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tipo de Transistor = NPN
Tensión Máxima Colector-Emisor = 80 V dc
Tipo de Encapsulado = TO-220
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Disipación de Potencia Máxima = 65 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Emisor-Base = 5 V dc
Conteo de Pines = 3
Número de Elementos por Chip = 1
Dimensiones = 10.53 x 4.83 x 9.28mm Más información: | | Tipo de Transistor: | NPN | Tensión Máxima Colector-Emisor: | 80 V dc | Tipo de Encapsulado: | TO-220 | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Disipación de Potencia Máxima: | 65 W | Configuración de transistor: | Simple | Tensión Máxima Emisor-Base: | 5 V dc | Conteo de Pines: | 3 | Número de Elementos por Chip: | 1 | Dimensiones: | 10.53 x 4.83 x 9.28mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +150 °C | Configuración: | Único | Altura: | 9.28mm |
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| Otros conceptos de búsqueda: Amplificador CI, Amplificadores CI, Transistor de potencia, Transistores de potencia, Transistores, Transistor, transistor darlington, 1867368, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Transistores Bipolares, onsemi, BDX53BG |
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