N.º art.: 3318E-1867382
N.º fabricante: FDMA420NZ
EAN/GTIN: Sin datos
Este MOSFET de N-Channel ha sido diseñado usando un Advanced Power Trench proceso para optimizar el RDS(on) @VGS=2.5V en el marco especial de cable MicroFET.RDS(on) = 30 mΩ @ VGS = 4,5 V, ID = 5,7A RDS(on) = 40 mΩ @ VGS = 2,5 V, ID = 5,0 A. Perfil bajo: 0,8mm máximo en el nuevo paquete MicroFET 2x2 mm HBM Nivel de protección ESD 2,5 k V típico (Nota 3) Libre de compuestos halogenados y óxidos de antimonio Aplicaciones Este producto es de uso general y es adecuados para diversas aplicaciones.
Más información:
Tipo de Encapsulado:
MicroFET 2 x 2
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima:
2,4 W
Configuración de transistor:
Simple
Conteo de Pines:
6
Número de Elementos por Chip:
1
Dimensiones:
2 x 2 x 0.72mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Altura:
0.72mm
Longitud:
2mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima:
-55 °C
Ancho:
2mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores de potencia ,
MOSFET ,
Transistor MOSFET ,
Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
1867382 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Transistores Bipolares ,
onsemi ,
FDMA420NZ
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