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| N.º art.: 3318E-1867412 N.º fabricante: MJE5730G EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Transistor = PNP Tensión Máxima Colector-Emisor = -300 V Tipo de Encapsulado = TO-220 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Disipación de Potencia Máxima = 40 W Ganancia Mínima de Corriente DC = 30 Configuración de transistor = Simple Tensión Máxima Emisor-Base = 5 V dc Conteo de Pines = 3 Número de Elementos por Chip = 1 Dimensiones = 10.53 x 4.83 x 9.28mm Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Transistor: | PNP | Tensión Máxima Colector-Emisor: | -300 V | Tipo de Encapsulado: | TO-220 | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Disipación de Potencia Máxima: | 40 W | Ganancia Mínima de Corriente DC: | 30 | Configuración de transistor: | Simple | Tensión Máxima Emisor-Base: | 5 V dc | Conteo de Pines: | 3 | Número de Elementos por Chip: | 1 | Dimensiones: | 10.53 x 4.83 x 9.28mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +150 °C | Configuración: | Único | Altura: | 9.28mm |
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