Alta velocidad: TPD = 5.4ns (Typ) en VCC = 5V. Disipación de baja potencia: ICC = 4μA (máx.) en TA = 25 C Entradas compatibles con TTL: VIL = 0,8V, VIH = 2,0 V. Protección de apagado proporcionada en entradas y salidas Retardos de propagación equilibrados Diseñado para el rango de funcionamiento de 4,5 V a 5,5 V. Ruido bajo: VolP = 1,6 V (máx.) PIN y funciones compatibles con otras familias de lógica estándar El rendimiento del bloqueo supera los 300mA Rendimiento ESD: HBM> 2000V, Modelo de máquina> 200V. Complejidad de chip: 134 FETs o 33.5 Gates equivalentes Encapsulados sin plomo disponibles Más información:  | | Familia Lógica: | VHC | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Número de Elementos por Chip: | 1 | Tipo de Encapsulado: | SOIC-WB | Tipo de Salida: | 3 estados | Conteo de Pines: | 20 | Dimensiones: | 12.95 x 7.6 x 2.4mm | Corriente Máxima de Salida de Bajo Nivel: | 8mA | Corriente Máxima de Salida de Alto Nivel: | -8mA | Traducción: | CMOS|TTL | Condición de Prueba de Retardo de Propagación: | 50pF | Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: | 5,5 V | Tipo de Retardo de Propagación Máxima @ CL Máximo: | 9 ns @ 50 pF | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +85 °C | Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: | 4,5 V |
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