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MOSFET Vishay SiSH101DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 35 A, PowerPAK 1212-8SH de 8 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1884892
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SiSH101DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
P-Canal 30 V (D-S) MOSFET.MOSFET de potencia TrenchFET®
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
PowerPAK 1212-8SH
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
13 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
1.2V
Disipación de Potencia Máxima:
52 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±25 V
Longitud:
3.3mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1884892, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SiSH101DNT1GE3
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