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MOSFET Vishay SISS26LDN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 81.2 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1885033
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SISS26LDN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059045737780
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET N-Channel 60 V (D-S).MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV Muy bajo RDS x Qg figura de mérito (FOM) Sintonizado para el RDS más bajo x QOSS FOM
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
81.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
PowerPAK 1212-8S
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
6,2 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
1V
Disipación de Potencia Máxima:
57 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±20 V
Longitud:
3.3mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1885033, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SISS26LDNT1GE3
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
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Precio
€ 9,38*
1 envase contiene 10 unidades (€ 0,938* por unidad)
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