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| N.º art.: 3318E-1888283 N.º fabricante: STB43N65M5 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | This device is an N-channel Power MOSFET based on the MDmesh™ M5 innovative vertical process technology combined with the well-known PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product offers extremely low on-resistance, making it particularly suitable for applications requiring high power and superior efficiency.Extremely low RDS(on) Low gate charge and input capacitance Excellent switching performance Applications Switching applications Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 7 A | Tipo de Encapsulado: | D2PAK (TO-263) | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 630 mΩ | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 5V | Tensión de umbral de puerta mínima: | 3V | Disipación de Potencia Máxima: | 70 W | Configuración de transistor: | Simple | Tensión Máxima Puerta-Fuente: | ±25 V | Longitud: | 10.4mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +150 °C | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 1888283, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, STB43N65M5 |
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