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| N.º art.:
3318E-1890509 N.º fabricante:
NCV57001DWR2G EAN/GTIN:
5059045747048 |
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| Salida de alta corriente (+4/-6 A) en los voltajes de IGBT Miller Plateau Demora de propagación corta con coincidencia precisa Desat con apagado suave Abrazadera Miller activa y tensión negativa de la compuerta Alta inmunidad transitoria y electromagnética Aislamiento galvánico de 5 kV Mejora la integridad de la señal PWM Protección contra sobrecarga y cortocircuitos Evita el giro falso de la compuerta Robustez en aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta corriente de velocidad de inclinación rápida Aislamiento galvánico para separar los lados de alta tensión y baja tensión para proporcionar seguridad y protección Aplicaciones Fuentes de alimentación automotrices Inversores de tracción HEV/EV OBC Inversores BSG Calentadores de PTC Cargadores EV Más información: | | Corriente de Salida: | 6 A | Tensión de Alimentación: | 5V | Conteo de Pines: | 16 | Tiempo de Bajada: | 15ns | Tipo de Encapsulado: | SOIC | Número de Salidas: | 1 | Tiempo de Subida: | 10ns | Topología: | Driver de puerta aislada | Número de Drivers: | 1 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Estándar de automoción: | AEC-Q100 | Altura: | 2.4mm | Longitud: | 10.45mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +150 °C |
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| Otros conceptos de búsqueda: 1890509, Semiconductores, Circuitos Integrados de Control de Alimentación, Drivers de Potencia, onsemi, NCV57001DWR2G |
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