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| N.º art.:
3318E-1924789 N.º fabricante:
SMB6F30AY EAN/GTIN:
Sin datos |
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| La serie SMB6FxxAY está diseñada para proteger circuitos automotrices sensibles contra sobretensiones y descargas electrostáticas. La tecnología Planar lo hace compatible con circuitos de gama alta donde se requiere una corriente de fuga baja y una temperatura de unión alta para proporcionar fiabilidad y estabilidad a largo plazo.Potencia Peak pulse: 600 W (10/1000 μs) y 4 kW (8/20 μs) Encapsulado plano y delgado: 1 mm Rango de tensión de desconexión de 5 V a 188 V Tipo unidireccional Baja corriente de fuga: 0,2 μA a 25 °C y 1 μA a 85 °C. Funcionamiento Tj máx: 175 °C. Alta capacidad de potencia a Tj máx.: Hasta 470 W (10/1000 μs) Acabado de plomo: Estañado mate Más información: | | Configuración de diodo: | Simple | Tipo de Dirección: | Unidireccional | Tensión Residual Máxima: | 64.3V | Tensión Mínima de Ruptura: | 33.2V | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Tipo de Encapsulado: | SMB PLANO (DO221-AA) | Tensión de Corte Inversa Máxima: | 30V | Conteo de Pines: | 2 | Disipación de Potencia de Pulso de Pico: | 600W | Corriente de Pulsos de Pico Máxima: | 62A | Protección ESD: | Sí | Número de Elementos por Chip: | 1 | Temperatura de Funcionamiento Mínima: | -55 °C | Dimensiones: | 3.95 x 4.6 x 1.05mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +175 °C |
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| Otros conceptos de búsqueda: Diodo supresor, Diodos supresores, Diodos TVS, Diodos supresores de transitorios de tensión, Diodo supresor de transitorios de tensión, diodo smd, 1924789, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, SMB6F30AY |
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