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| N.º art.:
3318E-1924977 N.º fabricante:
STB45N30M5 EAN/GTIN:
5059045387213 |
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| Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 53 A
Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 40 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 5V
Tensión de umbral de puerta mínima = 3V
Disipación de Potencia Máxima = 250 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente = ±25 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs = 95 nC a 10 Vmm
Altura = 4.37mm Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 53 A | Tipo de Encapsulado: | D2PAK (TO-263) | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 40 mΩ | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 5V | Tensión de umbral de puerta mínima: | 3V | Disipación de Potencia Máxima: | 250 W | Configuración de transistor: | Simple | Tensión Máxima Puerta-Fuente: | ±25 V | Longitud: | 10.4mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +150 °C | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 1924977, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, STB45N30M5 |
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