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MOSFET IXYS IXFH120N15P, VDSS 150 V, ID 120 A, TO-247AD de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
Product Image
N.º art.:
     3318E-194237
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXFH120N15P
EAN/GTIN:
     5059041207010
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™. MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
150 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247AD
Serie:
HiperFET, Polar
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
16 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
5V
Disipación de Potencia Máxima:
600000 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
16.26mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 194237, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IXYS, IXFH120N15P
Resumen de condiciones1
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Fabricante/N.º
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