MOSFET onsemi NVMYS3D3N06CLTWG, VDSS 60 V, ID 133 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple

Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 133 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V
Tipo de Encapsulado = LFPAK, SOT-669
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 4,2 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 2V
Tensión de umbral de puerta mínima = 1.2V
Disipación de Potencia Máxima = 100 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente = ±20 V
Ancho = 4.25mm
Altura = 1.15mm