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Transistor bipolar, AFGHL50T65SQDC, NPN 100 A 650 V TO-247, 3 pines, 1 MHz, Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1952573
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     AFGHL50T65SQDC
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Transistores
Con la nueva tecnología Field Stop IGBT y SiC SBD, LA nueva serie de IGBT híbridos DE Semiconductor ofrece un rendimiento óptimo para aplicaciones de conmutación difíciles. El dispositivo coempaqueta un IGBT basado en silicio con un diodo de barrera Schottky SiC, lo que da como resultado una excelente compensación entre el menor rendimiento de las soluciones basadas en silicio y el mayor coste de las soluciones basadas totalmente en SiC.Con código de diodo de barrera schottky SiC Pérdida de recuperación inversa ultrabaja Temperatura de conexión máxima: TJ = 175 °C Mayor fiabilidad Pérdidas de conducción y conmutación muy bajas Coeficiente de temperatura positivo Distribución de parámetros ajustada Aplicaciones Automoción Industrial, inversor Convertidor dc-dc Pfc, Totem Pole Bridgeless Conmutación Dura
Más información:
Tipo de Transistor:
NPN
Corriente DC Máxima del Colector:
100 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
650 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Disipación de Potencia Máxima:
238 W
Configuración de transistor:
Simple
Frecuencia Máxima de Funcionamiento:
1 MHz
Conteo de Pines:
3
Número de Elementos por Chip:
1
Dimensiones:
15.87 x 4.82 x 20.82mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor igbt, 1952573, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Transistores Bipolares, onsemi, AFGHL50T65SQDC
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