N.º art.: 3318E-2006809
N.º fabricante: SIHH125N60EF-T1GE3
EAN/GTIN: Sin datos
El Vishay SIHH125N60EF-T1GE3 es un MOSFET de potencia de la serie EF con diodo de cuerpo rápido.Tecnología de la serie E de 4th generación Figura de mérito baja Baja capacitancia efectiva Menores pérdidas por conmutación y conducción Valor nominal de energía de avalancha (UIS)
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
14 A, 23 A.
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
POWERPAK 8 x 8
Serie:
EF
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,125 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
5V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
2006809 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Vishay ,
SIHH125N60EFT1GE3
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