N.º art.: 3318E-2010890
N.º fabricante: SCTH35N65G2V-7
EAN/GTIN: Sin datos
El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 45A y resistencia de drenaje a fuente de 55m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de unión.Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto Baja capacitancia
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
45 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
H2PAK-7
Serie:
SCTH35
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,055 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
3.2V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
SiC
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
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2010890 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
STMicroelectronics ,
SCTH35N65G2V7
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