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| N.º art.:
3318E-2025542 N.º fabricante:
STW48N60M6-4 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| STMicroelectronics la nueva tecnología MDmesh™ M6 incorpora los avances más recientes en la conocida y consolidada familia MDmesh de MOSFET SJ. STMicroelectronics se basa en la generación anterior de dispositivos MDmesh a través de su nueva tecnología M6.100 % a prueba de avalancha Protección Zener Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 39 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 600 V | Tipo de Encapsulado: | TO-247-4 | Serie: | ST | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 4 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,061 Ω | Modo de Canal: | Reducción | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4.75V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | SiC |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet, 2025542, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, STW48N60M64 |
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