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Módulo MOSFET STMicroelectronics STWA67N60M6, VDSS 600 V, ID 52 A, TO-247 de 3 pines


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2025553
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STWA67N60M6
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
STMicroelectronics la nueva tecnología MDmesh™ M6 incorpora los avances más recientes en la conocida y consolidada familia MDmesh de MOSFET SJ. STMicroelectronics se basa en la generación anterior de dispositivos MDmesh a través de su nueva tecnología M6.100 % a prueba de avalancha Protección Zener
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
52 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
600 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247
Serie:
ST
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,045 Ω
Modo de Canal:
Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima:
4.75V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
SiC
Otros conceptos de búsqueda: 2025553, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, STWA67N60M6
Resumen de condiciones1
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