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Transistor MOSFET onsemi NTBG040N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 60 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2025689
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NTBG040N120SC1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 60 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en fuentes de alimentación ininterrumpida, convertidor dc o dc, inversor de impulso.Resistencia de drenaje a conexión de fuente 40mO Carga de puerta ultrabaja 100 % a prueba de avalancha Sin plomo En conformidad con RoHS
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
1.200 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Serie:
NTB
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,04 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4.3V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
SiC
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 2025689, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NTBG040N120SC1
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Accesorios
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