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| N.º art.: 3318E-2025703 N.º fabricante: NTH4L160N120SC1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17,3 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = NTH Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,224 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 4.3V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 17,3 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 1.200 V | Tipo de Encapsulado: | TO-247-4 | Serie: | NTH | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 4 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,224 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4.3V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | SiC |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2025703, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NTH4L160N120SC1 |
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