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| N.º art.: 3318E-2025714 N.º fabricante: NTNS0K8N021ZTCG EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 220 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Serie = NTN Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 4,5 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 1V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 220 mA | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 20 V | Tipo de Encapsulado: | xDFN3 | Serie: | NTN | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 4,5 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 1V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2025714, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NTNS0K8N021ZTCG |
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