| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 3318E-2025716 N.º fabricante: NTNS2K1P021ZTCG EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 127 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Serie = NTN Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 10 Ω Modo de Canal = Reducción Tensión de umbral de puerta máxima = 1V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | P | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 127 mA | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 20 V | Tipo de Encapsulado: | xDFN3 | Serie: | NTN | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 10 Ω | Modo de Canal: | Reducción | Tensión de umbral de puerta máxima: | 1V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2025716, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NTNS2K1P021ZTCG |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |