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| N.º art.:
3318E-2025730 N.º fabricante:
NVBG040N120SC1 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V
Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,056 Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4.3V
Material del transistor = SiC Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 60 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 1.200 V | Tipo de Encapsulado: | D2PAK (TO-263) | Serie: | NVB | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 7 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,056 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4.3V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | SiC |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 2025730, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NVBG040N120SC1 |
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