| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 3318E-2025749 N.º fabricante: NVMFS6H824NLT1G EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 110 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Serie = NVM Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,004 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 2V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 110 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 80 V | Tipo de Encapsulado: | DFN5 | Serie: | NVM | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,004 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2025749, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NVMFS6H824NLT1G |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |