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| N.º art.: 3318E-2026952 N.º fabricante: SP2525NUTG EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | La SP2525NUTG es una matriz DE diodos TVS de baja capacitancia diseñada para proporcionar protección contra ESD (descarga electrostática), CDE (eventos de descarga de cable), EFT (transitorios eléctricos rápidos) y transitorios inducidos por relámpagos para líneas de datos diferenciales de alta velocidad. Está encapsulado en un encapsulado de μDFN 30A (3,0 x 2,0 mm) y cada dispositivo puede proteger hasta 4 canales hasta 2nd (IEC 61000-4- 5 30kV edición) y hasta ± ESD (IEC 61000-4-2). El SP2525NUTG, con su baja capacitancia y baja tensión de fijación, lo convierte en ideal para interfaces de datos de alta velocidad como aplicaciones 1GbE que se encuentran en ordenadores portátiles, interruptores, etc.ESD, IEC 61000-4-2, contacto ±30kV, aire ±30kV EFT, IEC 61000-4-4, 40A (5/50NS) Lightning, IEC 61000-4-5 2nd edición, 30A (TP=8/20 20μs) Baja capacitancia de 1,7 pF a 0V (TÍP.) Baja corriente de fugas de 1nA (TÍP.) a 2,5 V. Tensión de fijación y funcionamiento baja El encapsulado μDFN-10 está optimizado para enrutamiento de línea de datos de alta velocidad Proporciona protección para dos pares de datos diferenciales (4 canales) hasta 30A Libre de halógenos, sin plomo y conforme a RoHS Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL -1) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Configuración de diodo: | Array | Tipo de Dirección: | Unidireccional | Tensión Residual Máxima: | 11V | Tensión Mínima de Ruptura: | 5.5V | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Tipo de Encapsulado: | μDFN | Conteo de Pines: | 10 | Número de Elementos por Chip: | 4 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2026952, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Diodos TVS, Littelfuse, SP2525NUTG |
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