| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 3318E-2047200 N.º fabricante: SiR626ADP-T1-RE3 EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 165 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = SiR626ADP Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,00175 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 3.5V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 165 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 60 V | Tipo de Encapsulado: | POWERPAK SO-8 | Serie: | SiR626ADP | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,00175 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 3.5V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2047200, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SiR626ADPT1RE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |