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| N.º art.: 3318E-2047206 N.º fabricante: SIHG052N60EF-GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 48 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = SiHG052N60EF Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,052 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 5V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 48 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 600 V | Tipo de Encapsulado: | TO-247AC | Serie: | SiHG052N60EF | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,052 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 5V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet, 2047206, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIHG052N60EFGE3 |
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