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| N.º art.: 3318E-2047229 N.º fabricante: SIHU5N80AE-GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | El Vishay serie E Power MOSFET tiene una figura de mérito (FOM) Ron x QG baja y una capacitancia de entrada (CISS) baja.Carga de compuerta (Qg) ultrabaja Valor nominal de energía de avalancha (UIS) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 4,4 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 800 V | Tipo de Encapsulado: | IPAK (TO-251) | Serie: | SiHU5N80AE | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 1,35 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2047229, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIHU5N80AEGE3 |
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