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MOSFET Vishay SIHU5N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4,4 A, IPAK (TO-251) de 3 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2047229
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHU5N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
El Vishay serie E Power MOSFET tiene una figura de mérito (FOM) Ron x QG baja y una capacitancia de entrada (CISS) baja.Carga de compuerta (Qg) ultrabaja Valor nominal de energía de avalancha (UIS)
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
4,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
800 V
Tipo de Encapsulado:
IPAK (TO-251)
Serie:
SiHU5N80AE
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
1,35 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: 2047229, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIHU5N80AEGE3
Resumen de condiciones1
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Precio
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