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MOSFET Vishay SIDR220DP-T1-RE3, VDSS 25 V, ID 100 A, POWERPAK SO-8DC de 8 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2047232
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIDR220DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
El MOSFET Vishay de canal N de 25 V (D-S) tiene una relación QG, Qgd y Qgd/QGS optimizada que reduce la pérdida de potencia relacionada con la conmutación.100 % RG y prueba UIS MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
25 V
Tipo de Encapsulado:
POWERPAK SO-8DC
Serie:
SiDR220DP
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,00058 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.1V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: 2047232, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIDR220DPT1RE3
Resumen de condiciones1
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Precio
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