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MOSFET Vishay SIHP068N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 41 A, TO-220AB de 3 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2047256
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHP068N60EF-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
El Vishay serie EF MOSFET de potencia con diodo de cuerpo rápido tiene una tecnología de la serie E de 4th generación. Ha reducido las pérdidas de conducción y conmutación.Valor nominal de energía de avalancha (UIS) Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
41 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
600 V
Tipo de Encapsulado:
TO-220AB
Serie:
SiHP068N60EF
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,068 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
5V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: 2047256, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIHP068N60EFGE3
Resumen de condiciones1
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