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| N.º art.:
3318E-2052432 N.º fabricante:
NTTFS1D8N02P1E EAN/GTIN:
Sin datos |
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| El MOSFET de canal N 25V de la serie Power33 de ON Semiconductor se fabrica mediante un proceso Advanced que incorpora tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.La corriente de drenaje máxima nominal es de 150A La resistencia nominal de drenaje a fuente es de 1,3 Mohmios Tamaño pequeño para un diseño compacto Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción QG bajo y capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador 100% sometido a pruebas UIL El encapsulado es Power 33 (PQFN8) Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 150 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 25 V | Tipo de Encapsulado: | PQFN8 | Serie: | Power | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 1,3 mΩ | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2052432, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NTTFS1D8N02P1E |
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