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| N.º art.:
3318E-2052506 N.º fabricante:
NTPF360N80S3Z EAN/GTIN:
Sin datos |
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| El MOSFET 800V de canal N de la serie SUPERFET III de on Semiconductor está optimizado para el interruptor principal del convertidor de retorno, permite menores pérdidas de conmutación y temperatura de carcasa sin sacrificar el rendimiento EMI gracias a su diseño optimizado. Además, el diodo zener interno mejora significativamente la capacidad ESD. Esta nueva familia permite crear aplicaciones más eficientes, compactas, más frías y más robustas gracias a su extraordinario rendimiento en aplicaciones de alimentación de conmutación como adaptadores para portátiles, audio, iluminación, alimentación ATX y fuentes de alimentación industriales.La corriente nominal de drenaje continuo es 13A El valor nominal de resistencia de drenaje a fuente es 360mohm Carga de puerta ultrabaja Baja energía almacenada en capacitancia de salida 100 % a prueba de avalancha El tipo de encapsulado ES TO-220F Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 13 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 800 V | Tipo de Encapsulado: | TO-220F | Serie: | SUPERFET III | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 360 mΩ | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 3.8V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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