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MOSFET Toshiba TK090N65Z,S1F(S, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-247 de 3 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2069726
Fabricante:
     Toshiba
N.º fabricante:
     TK090N65Z,S1F(S
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
El MOSFET TOSHIBA de canal N de silicio con propiedades de conmutación de alta velocidad y capacitancia inferior. Se utiliza principalmente en fuentes de alimentación conmutadas.Resistencia de conexión de fuente-drenaje baja 0,075 ? Temperatura de almacenamiento: -55 a 150 °C.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247
Serie:
TK090N65Z
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0.09 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: 2069726, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Toshiba, TK090N65Z,S1F(S
Resumen de condiciones1
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Stock en almacén
Precio
a partir de € 5,184*
  
Precio válido a partir de 30 unidades
Pedidos sólo en múltiplos de 2 unidades
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a partir de 10 unidades
€ 5,768*
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a partir de 30 unidades
€ 5,184*
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