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| N.º art.: 3318E-2069726 N.º fabricante: TK090N65Z,S1F(S EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | El MOSFET TOSHIBA de canal N de silicio con propiedades de conmutación de alta velocidad y capacitancia inferior. Se utiliza principalmente en fuentes de alimentación conmutadas.Resistencia de conexión de fuente-drenaje baja 0,075 ? Temperatura de almacenamiento: -55 a 150 °C. Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 30 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | TO-247 | Serie: | TK090N65Z | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0.09 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Silicio |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2069726, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Toshiba, TK090N65Z,S1F(S |
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