Diodo, VS-C04ET07T-M3, 4A, 650V Schottky SiC, 2L A 220AC, 3-Pines, Schottky SiC

Diodo Schottky PIN combinado Vishay 650 V Power SiC con corriente directa de 4A.Diodo portador mayoritario con tecnología Schottky en banda ancha SiC material de separación Coeficiente de temperatura de VF positivo para facilitar la conexión en paralelo Prácticamente sin cola de recuperación y sin pérdidas de conmutación Comportamiento de conmutación invariable de temperatura Temperatura de funcionamiento máxima de conexión de 175 °C Estructura MPS para alta resistencia a eventos de transitorios de corriente de avance