N.º art.: 3318E-2104966
N.º fabricante: SIHB11N80AE-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Vishay serie E MOSFET de potencia tiene un tipo de encapsulado D2PAK (TO-263) con configuración única.Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja Baja capacitancia efectiva (CISS) Menores pérdidas por conmutación y conducción Carga de compuerta (Qg) ultrabaja Valor nominal de energía de avalancha (UIS) Protección ESD de diodo Zener integrado
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
800 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Serie:
E
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0.391 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
2 → 4V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
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Transistor ,
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2104966 ,
Semiconductores ,
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SIHB11N80AEGE3
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