N.º art.: 3318E-2105000
N.º fabricante: SiR180ADP-T1-RE3
EAN/GTIN: Sin datos
El MOSFET Vishay de canal N de 60 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK SO-8.MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV Figura de mérito (FOM) RDS - Qg muy baja Ajustado para ofrecer la FOM RDS - Qoss más baja 100 % RG y prueba UIS
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
137 A.
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
POWERPAK SO-8
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0.0018 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
2 → 3.6V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
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2105000 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Vishay ,
SiR180ADPT1RE3
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