N.º art.: 3318E-2105004
N.º fabricante: SiR826LDP-T1-RE3
EAN/GTIN: Sin datos
El MOSFET Vishay de canal N de 80 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK SO-8 con una corriente de drenaje de 86 A.MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV Figura de mérito (FOM) RDS - Qg muy baja Ajustado para ofrecer la FOM RDS - Qoss más baja 100 % RG y prueba UIS
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
86 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
80 V
Tipo de Encapsulado:
POWERPAK SO-8
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,00415 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
1 → 2.4V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
2105004 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Vishay ,
SiR826LDPT1RE3
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