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| N.º art.: 3318E-2105008 N.º fabricante: SiRA74DP-T1-GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | El MOSFET Vishay de canal N de 40 V (D-S) 150 °C tiene un tipo de encapsulado POWERPAK SO-8.MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV Ajustado para el FOM RDS-QOSS más bajo 100 % RG y prueba UIS La relación Qgd/QGS < 1 optimiza las características de conmutación Optimizado para soldadura por ola Los cables flexibles aumentan la resistencia a la flexión de la placa Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 81,2 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 40 V | Tipo de Encapsulado: | POWERPAK SO-8 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0.0035 Ω | Tensión de umbral de puerta máxima: | 1 → 2.4V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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